פרק 11 - מערכי חלקיקים ומבוא לחומרים מלאכותיים

From EM Fields - TAU
Revision as of 04:43, 20 April 2022 by RonelM (talk | contribs)
Jump to navigation Jump to search

מערכי חלקיקים ומבוא לחומרים מלאכותיים

ההבדל בין פולריזציה לפולריזביליות

פולריזציה פולריזביליות
ייצוג של דיפולים רבים על ידי צפיפות נפחית ממוצעת התגובה של חלקיק בודד מה מתאר?
קיטוב קיטוביות p=ϵ0αE מאפיין

הפולריזביליות כמטריצה

p=ϵ0αE=ϵ0(αxx000αyy000αzz)Eכאשר במצב של חוסר איזוטרופיות מתקיים אי שוויון של אחד המקדמים לדוגמה αxxαyy.

שדה של דיפול

מאחר ובכל חלקיק מושרה מומנט דיפול בתגובה לשדה חיצוני, השדה שהוא ייצור יהיה כמו שדה דיפולי:ϕdip=pi^r,r4πϵ0|rr|2E=14πϵ01|rr|3(p3(pi^r,r)i^r,r)כאשר הווקטור i^r,r מוגדר באופן הבא:i^r,r=(xx)x^+(yy)y^+(zz)z^(xx)2+(yy)2+(zz)2=(xx|rr|yy|rr|zz|rr|)=(nxnynz)ניתן לרשום:I__p3(nxpx+nypy+nzpz)(nxnynz)3N__(s)pכעת, נוכל לרשום ביטוי מקוצר לביטוי של שדה הדיפול:Edip(r,p,r)=A__(r,r)pכאשר הגדרנו את המטריצות:A__=14πϵ0|rr|3(3N__(s)I__),N__(s)=(nx2nxnynxnznynxny2nynznznxnznynz2)

מערכי חלקיקים ושדה לוקלי

עבור חלקיק בודד נוכל לרשום את הפולריזביליות p=ϵ0αE=ϵ0αEL כאשר EL הוא שדה לוקלי - השדה במיקומו של החלקיק בהיעדר החלקיק עצמו.

נחשב בכל נקודה את השדה הלוקלי EL(ri) ונוכל לרשום pi=ϵ0αiEL(ri).

את השדה הלוקלי נמצא באמצעות:EL(ri)=Eext(ri)+jiA__(ri,rj)pjכאשר ri הם מיקומי הנקודות בהם נחשב את השדה, ו-rj מיקומי הדיפולים השונים.

כעת נוכל לרשום ביטוי לפולריזביליות עבור כל חלקיק:pi=αi__ϵ0EL(ri)=αi__ϵ0[Eext(ri)+jiA__(ri,rj)pj]

דוגמה - מערך אינסופי (עירור אורכי)

מאחר והבעיה סימטרית להזזה של d, מומנט הדיפול שמתעורר בכל החלקיקים זהה! כלומר:pn=p0x^החלקיקים יושבים בנקודות xn=nd. נסתכל על חלקיק בראשית:E__L(0)=E0x^+n014πϵ0|nd|3(200010001)3N__(s)I__(p000)=E0x^+n012p04πϵ0d3|n|3x^לכן, השדה הלוקלי של חלקיק בראשית:E__L(0)=E0x^+2p04πϵ0d3n01|n|3x^=E0x^+2p04πϵ0d32n=11|n|3Apery's Const-1.202x^ניתן להביע את הקבוע הדרוש גם על ידי הגדרה של פונקציית זטא של רימן:ζ(s)=n=11ns,(s)>1n=11n3=ζ(3)כעת נוכל למצוא את הפולריזביליות בראשית:p0=ϵ0α(E0+p0πϵ0d3ζ(3))p0=ϵ0αE01απd3ζ(3)>ϵ0αE0קיבלנו שמומנט הדיפול המתעורר חזק יותר מאשר מומנט הדיפול אשר היה מתעורר באותו חלקיק אם הוא היה מונח לבד במרחב. מדוע? מאחר וכל הדיפולים זהים, השדה שיוצרים החלקיקים האחרים במערך על החלקיק בראשית מחזק את השדה המעורר, ולכן סה"כ מתקבל ש-EL חזק יותר מ-E0. מה שיוצר דיפול חזק יותר מאשר חלקיק יחיד במרחב חופשי שהיה חשוף לאותו שדה חיצוני. בנוסף, נשים לב לכך שהגדרה מעט שונה של תא היחידה מביאה למומנט דיפול הפוך מזה שחישבנו.

דוגמה - מערך אינסופי (עירור ניצב)

בכל חלקיק מתעורר דיפול:py=ϵ0αE01+α2πd3ζ(3)קיבלנו הפעם עירור חלש יותר מאשר אם אותו חלקיק היה מונח לבד במרחב.

דוגמה - מערך אינסופי (עירור כללי)

אם נניח כעת שדה מעורר כללי בזווית θ ביחס לציר ה-x:Eext=E0(cosθx^+sinθy^)נקבל:p=ϵ0αE0[cosθ1απd3ζ(3)x^+sinθ1+α2πd3ζ(3)y^]הדיפול ייווצר בזווית φ ביחס לציר ה-x המקיימת:tanφ=tanθ1απd3ζ(3)1+α2πd3ζ(3)

דוגמה - מערך סופי

מערכים תלת-מימדיים

במערך תלת מימדי נצטרך שלושה אינדקסים כדי לתאר את המיקום של כל חלקיק:rm,n,k=max^+nby^+kcz^,<m,n,k,<מה הדיפול שמתעורר בכל חלקיק עבור עירור של שדה חיצוני E=E0y^?

נרשום את המשוואות עבור החלקיק בראשית:p=p0y^=αϵ0EL=αϵ0[E0y^+m,n,k(0,0,0)A__(0,rm,n,k)pm,n,kp0y^]p0y^=αϵ0[E0y^+m,n,k(0,0,0)A__(0,rm,n,k)(0p00)]A__=14πϵ0|rm,n,k|3(3N__(s)I__),i^r,r=0(max^+nby^+kcz^)(ma)2+(nb)2+(kc)2=(nx,ny,nz)נחשב את המכפלה A__p:A__(0,rm,n,k)(0p00)=p04πϵ02(nb)2(ma)2(kc)2[(ma)2+(nb)2+(kc)2]52y^ניתן להציג סכומים מסוג זה באופן הבא:A__(0,rm,n,k)(0p00)=y^p04πϵ0S(u,v)|u=ab,v=cbכאשר הגדרנו:S(u,v)=m,n,k(0,0,0)2n2(mu)2(kv)2[(mu)2+n2+(kv)2]52נציב את הביטוי הזה ונציב במשוואה עבור הדיפול:py^αϵ0y^(p4πϵ0b3S(ab,cb))=ϵ0αE0y^נעביר אגפים ונקבל:p=ϵ0αE01α4πb3S(ab,cb)נפרק לרכיבים:{py=ϵ0αE0,y1α4πb3S(ab,cb)px=ϵ0αE0,x1α4πa3S(ba,ca)pz=ϵ0αE0,z1α4πc3S(ac,bc)p=C__Eextכאשר הגדרנו את המטריצה C__:C__=(Cxx000Cyy000Czz),{Cxx=ϵ0α1α4πa3S(ba,ca)Cyy=ϵ0α1α4πb3S(ba,ca)Czz=ϵ0α1α4πc3S(ba,ca)כיצד נעריך את S(u,v)? בעזרת סכום פואסון:S(u,v)=1.202π8π[K0(2πu)+K0(2πv)],u,v1כאשר K0 היא ה-Modiified Bessel function, 2nd kind.

חומרים מלאכותיים

נכתוב את וקטור הפולריזציה עבור חומרים מלאכותיים:P=ϵ0χ__Eהמהירות הממוצעת:u=1Vudxdydzכאשר V נפח תא היחידה בו ממצעים.E=E0+m,n,kEdעבור תא יחידה סביב הראשית:Eorigin=E0+Ed,originהשדה E0 משתנה במרחב מאוד לאט ולכן:E0=E0לאחר חישוב ארוך ובהנחה של a=b=c ניתן להגיע לכך שמתקיים:Eorigin=p3ϵ0V=P3ϵ0כאשר P היא הפולריזציה בחומר. לכן, השדה החשמלי הממוצע הוא:E=E0p3ϵ0=E0peϵ0V=E013ϵ0VC__E0E=(I__13ϵ0VC__)E0E0=(I__13ϵ0VC__)1Eמכאן, ניזכר בביטוי המקשר בין הפולריזציה לשדה החשמלי:p=C__E0E0=C__1pנציב במשוואה שמצאנו ל-E0 ונקבל:C__1p=(I__13ϵ0VC__)1Eנחלק בנפח תא היחידה:C__1P=1V(I__13ϵ0VC__)1Eונקבל ביטוי לפולריזציה הכוללת:P=C__1V(I__13ϵ0VC__)1ϵ0χ__ , ϵ__=ϵ0(I__+χ__)E